El gigante tecnológico Samsung Electronics anunció hoy que ha comenzado a producir en masa los primeros semiconductores de 3 nanómetros del mundo, un producto de nueva generación que permite más rendimiento y menos consumo energético y que llega en un momento en el que persisten los cuellos de botella en este sector.
Samsung fabrica estos nuevos circuitos integrados con una tecnología de transistores de entrada múltiple a la que llama Multi-Bridge-Channel (MBCFET) y que permitirá importantes avances con respecto a la actual tecnología de fabricación FinFET usada para semiconductores de 5 nanómetros.
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La primera generación de semiconductores de 3 nanómetros que empezó a producir hoy puede “reducir el consumo de energía hasta en un 45 %, mejorar el rendimiento en un 23 % y reducir su área en un 16 %” en comparación con los de 5 nanómetros, explicó la empresa en un comunicado.
Los de segunda generación serán aún de menor volumen y más eficientes, ya que ocuparán un 35 % menos de espacio físico y lograrán una mejora de rendimiento del 30 % con un consumo de energía un 50 % menor, según la compañía con sede en Suwon (al sur de Seúl).
De este modo Samsung Electronics logra adelantarse a la taiwanesa TSMC, que planea comenzar a fabricar sus semiconductores de 3 nanómetros en la segunda mitad de este año.
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Samsung, que es el mayor fabricante de chips de memoria del mundo y el segundo mayor fundidor de circuitos integrados del mundo (posee una cuota de mercado del 16,3 %, por detrás del 53,5 % de TSMC, según el medio especializado TrendForce), ha dicho que su tecnología para fabricar semiconductores de 2 nanómetros está en fase temprana de desarrollo con la meta de empezar a producir en 2025.
Hace tres años la empresa presentó un gran plan de inversión de aquí a 2030 valorado en 171 billones de wones (unos 131.565 millones de dólares) en lo referente a fundidoras y tecnologías relacionadas.
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